朗科科技2023年年度报告.pdf

深圳市朗科科技股份有限公司2023年年度报告全文1深圳市朗科科技股份有限公司2023年年度报告2024-0292024年4月深圳市朗科科技股份有限公司2023年年度报告全文22023年年度报告第一节重要提示、目录和释义公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实、准确、完整，不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。公司负责人吕志荣、主管会计工作负责人吕志荣及会计机构负责人(会计主管人员)张宝林声明：保证本年度报告中财务报告的真实、准确、完整。所有董事均已出席了审议本报告的董事会会议。2023年度业绩亏损的主要原因分析及应对措施如下：1、2022年下半年以来终端需求不振与企业库存高位所引起的存储市场供过于求的不平衡状态，导致存储产品价格发生下滑，公司营业收入和毛利率水平均出现下降。应对措施：2023年第四季度以来，存储价格产品全面上涨，价格重回上升轨道，面对行业周期波动，公司积极调整经营策略，努力控制成本，维持产品毛利率。2、报告期内公司房屋租赁收入、专利收入和获得的政府补助等同比下降，导致净利润较上年同期减少。应对措施：公司已与第三方合作方开展共同运营，对朗科大厦进行装修升级改造，提升朗科大厦环境和服务，正积极招租，努力提高租金收入。深圳市朗科科技股份有限公司2023年年度报告全文3本报告中涉及未来计划等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，投资者及相关人士均应对此保持足够的风险认识，并且应当理解计划、预测与承诺之间的差异。公司在本年度报告中详细阐述了未来可能发生的有关风险因素及应对措施，详见“第三节管理层讨论与分析”之“十一、公司未来发展的展望”中“（四）、可能面临的风险及应对措施”，敬请广大投资者注意投资风险。公司计划不派发现金红利，不送红股，不以公积金转增股本。深圳市朗科科技股份有限公司2023年年度报告全文4目录第一节重要提示、目录和释义2第二节公司简介和主要财务指标..9第三节管理层讨论与分析..13第四节公司治理39第五节环境和社会责任57第六节重要事项59第七节股份变动及股东情况....75第八节优先股相关情况82第九节债券相关情况....83第十节财务报告84深圳市朗科科技股份有限公司2023年年度报告全文5备查文件目录1、载有法定代表人、主管会计工作负责人、会计主管人员签名并盖章的财务报表。2、载有会计师事务所盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告原件。3、报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。4、载有董事长签名的2023年度报告文本原件。5、以上备查文件的备置地点：公司董事会办公室。深圳市朗科科技股份有限公司2023年年度报告全文6释义释义项指释义内容中国证监会指中国证券监督管理委员会公司、本公司、朗科科技指深圳市朗科科技股份有限公司广西朗科指广西朗科科技投资有限公司，系公司前全资子公司（2014年2月已转让）香港朗科指NetacTechnology(HongKong)Limited，系公司全资子公司朗博科技指深圳市朗博科技有限公司，系公司全资子公司北京朗科指北京朗科创新技术发展有限公司，系公司全资子公司朗盛电子指深圳市朗盛电子有限公司，系公司全资子公司韶关朗科指韶关朗科半导体有限公司，系公司全资子公司乳源朗坤指韶关乳源朗坤科技有限公司，系公司全资子公司韶关朗正指韶关朗正数据半导体有限公司，系公司控股子公司朗科智算指朗科智算（韶关）科技有限公司，系公司控股子公司韶关城投指韶关市城市投资发展集团有限公司，系公司控股股东韶关国资委指韶关市人民政府国有资产监督管理委员会，系公司实际控制人安图田木指安图田木投资管理有限公司，原公司名称为珲春田木投资咨询有限责任公司，于2016年1月7日更名为新余田木投资管理有限公司，又于2016年12月14日更名为安图田木投资管理有限公司。股东大会指深圳市朗科科技股份有限公司股东大会董事会指深圳市朗科科技股份有限公司董事会监事会指深圳市朗科科技股份有限公司监事会Kingston指KingstonTechnologyCorporation，金士顿科技有限公司，全球领先的独立内存模组生产商，全球闪存产品领导者，全球领先的闪存卡和闪存盘生产商。与公司签订专利授权许可协议的公司为KingstonChinaCooperatieU.A.，该公司系KingstonTechnologyCorporation的关联公司。专利复审委、专利复审委员会指国家知识产权局专利复审委员会北京一中院指北京市第一中级人民法院深圳中院指深圳市中级人民法院鹏盛会计师事务所指鹏盛会计师事务所（特殊普通合伙）章程指深圳市朗科科技股份有限公司章程元/万元指人民币元/万元99专利指公司核心基础发明专利“用于数据处深圳市朗科科技股份有限公司2023年年度报告全文7理系统的快闪电子式外存储方法及其装置”（专利号：ZL99117225.6），已于2019年11月14日期满失效。闪存指FlashMemory，快闪存储器，简称闪存，是一种即使关闭电源仍能保存信息并可重复读写数据的半导体存储介质芯片。目前已被广泛应用于各种电子及电脑相关产品领域，如闪存盘、MP3、MP4、数码相机存储卡、手机存储卡、GPS导航仪等均采用闪存做为存储介质。闪存盘指一种以闪存为存储介质、以USB接口为数据通信接口的移动存储产品的简称，现已取代软盘成为所有电脑用户的随身存储产品，并开始广泛应用于电视机、软件发行等领域。优盘指公司的注册商标，当该商标用于公司的闪存盘产品时，系指公司优盘牌闪存盘。SSD、固态硬盘指SolidStateDisk或SolidStateDrive，也称作电子硬盘或者固态电子盘，是由控制单元和闪存组成的硬盘，存储介质是闪存。固态硬盘的接口规范和定义、功能及使用方法上与普通硬盘相似。固态硬盘没有普通机械硬盘的旋转介质，具有高性能、高密度、高寿命、低功耗、防震抗摔、耐高低温、静音等众多优点。固态硬盘主要应用于计算机、工业控制、电力、医疗、航空等领域。移动固态硬盘指移动固态硬盘：ProtableSolidStateDisk，以USB3.0接口（目前多为Type-C接口）为数据通信接口的移动固态存储产品，由桥接芯片单元、控制单元和闪存存储单元（Flash芯片）组成，外形尺寸不局限于2.5寸，小巧便携为主；移动固态硬盘的接口规范、接口定义、产品功能和使用方法上与普通USB3.0移动硬盘相同。移动固态硬盘具有体积小、容量大、高性能、低功耗、防震抗摔、耐高低温、静音等优点。主要应用在高端商务、工业、航空、航天等领域。3DV-NAND、3DNAND指3DV-NAND或3DNAND，主要生产厂商有，三星、镁光、英特尔等，是一种有别现有2DNAND的一种新技术，是一种新兴闪存技术，3DV-NAND主要从结构方面对闪存芯片进行了技术创新。3DV-NAND技术，则将闪存芯片中的晶体管竖起，然后用绝缘体和控制栅极环绕包围这些晶体管，形成了一个"立体"的同轴结构体。将这些同轴结构体一层层向上堆叠，形成多层结构，就构成了3DV-NAND的基本形态。目前已经开始应用于固态存储产品上。NANDFlash指是Flash的一种技术规格；根据其工深圳市朗