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电子行业周报:AI拉动HBM需求,产业链上游材料有望受益.pdf

1|请务必仔细阅读报告尾部的投资评级说明和声明行业周报|电子AI拉动HBM需求,产业链上游材料有望受益电子行业周报(20240325-20240329)核心结论分析师贺茂飞S080052111000118217567458hemaofei@research.xbmail.com.cn相关研究电子:从进口数据看半导体设备行业高景气—电子行业周报(20240318-20240322)2024-03-25电子:AI浪潮浩浩荡荡,多相电源乘势而起—电子行业周报(20240311-20240315)2024-03-17电子:从海外巨头看SiC产业2024年三大趋势—电子行业周报(20240219-20240223)2024-02-26AI拉动HBM需求,HBM是AI领域理想的内存解决方案。AI大模型出现之后,传统带宽标准DDR和移动类LPDDR显然已经完全无法满足AI芯片的需求。此时3D堆栈的HBM可以为AI芯片提供更大的内存带宽和更低功耗,从带宽上讲,HBM提供的高带宽能够确保数据在处理器和存储器之间快速传输,从而提高整体的计算效率;从功耗上讲,HBM具有较短的数据传输距离,功耗显著低于GDDR6等,为数据中心以及边缘端计算节省功耗。此外HBM还具有快速访问和低延迟等特性,都是AI所需。根据海力士预测,到2027年全球HBM市场规模将会超120亿美元,5年CAGR超25%。从HBM技术迭代情况来看,HBM3E相较HBM2在功耗、带宽、可扩展性都有改进,英伟达B200搭配8颗HBM3e芯片。目前HBM主要设计工艺是TSV、MicroBump、混合键合等环节。HBM相较于传统的flipchip或sip等封装,采用多层堆叠的设计,通过TSV技术将多个DRAM层堆叠在一起,并与逻辑芯片通过中介层连接。这种设计显著提高了内存的带宽和容量,同时减少了占用的空间。TSV(ThroughSiliconVia,硅通孔技术)是在硅片中钻制微小通孔,并在这些孔洞中填充导电材料(如铜、钨或多晶硅),从而创建垂直电气互连,以实现不同层之间或硅片与其他组件之间的垂直电气连接。MicroBump是微凸块,是在芯片上制造微小凸块来连接芯片与焊盘,这些凸点非常小,直径小至几微米。这个方式相较传统的打线封装,具有更高的端口密度,减少了信息传输路径。HBM工艺相关材料硅微粉、电镀液、前驱体等材料用量提升。由于这些工艺都属于新增范畴,所以这些工艺所需要的材料在HBM需求量增加的情况下会有相应提升。首先硅微粉来看,硅微粉是以结晶石英、熔融石英等为原料,经研磨、精密分级、除杂等多道工艺加工而成的二氧化硅粉体材料,具有高耐热、高绝缘、低线性膨胀系数和导热性好等性能,系一种性能优异的无机非金属功能性填料,可被广泛用于覆铜板、环氧塑封料、电工绝缘材料、胶粘剂、陶瓷和涂料等领域。投资建议:建议关注目前涉及HBM产业链材料的雅克科技(前驱体)、联瑞新材(硅微粉)、兴森科技(IC载板)、艾森股份(电镀液)、华海诚科(环氧塑封料)等。风险提示:市场竞争加剧,半导体行业周期波动,市场风险偏好下降证券研究报告2024年04月02日行业周报|电子西部证券2024年04月02日2|请务必仔细阅读报告尾部的投资评级说明和声明索引内容目录一、HBM拉动相关材料需求....4二、本周电子板块行情回顾...102.1行业行情...102.2个股表现...112.3陆股通动态.....142.4台股月度营收动态15三、本周行业新闻18四、风险提示.21图表目录图1:HBM2E和LPDDR5/4以及GDDR6对比...4图2:HBM有效减少芯片的面积占用..4图3:HBM在主流AI芯片上使用.4图4:HBM市场规模保持较高增速(百万美元)..4图5:HBM市场目前被三大原厂占据..5图6:HBM不断迭代...5图7:TSV工艺.....5图8:MicroBump..5图9:混合键合6图10:HBM材料产业链一览图.....7图11:硅微粉下游应用.....7图12:电镀液..8图13:前驱体..8图14:本周(20240325-0329)电子行业下跌4.43%....10图15:本周15个电子子板块中共有2个板块取得相对沪深300(-0.21%)的超额收益.....10图16:本周电子(申万)行业指数下跌4.43%...11图17:本周费城半导体指数下跌0.06%..11图18:本周电子行业涨幅前五....11图19:本周电子行业涨幅后五....11图20:本周300亿市值以上电子公司涨幅前五..12图21:本周300亿市值以上电子公司涨幅后五..12图22:本周涨幅靠前的境外重点电子公司....13图23:本周涨幅靠后的境外重点电子公司.....13行业周报|电子西部证券2024年04月02日3|请务必仔细阅读报告尾部的投资评级说明和声明图24:台股晶圆代工板块重点公司22M1-24M2月度营收走势..15图25:台股封测板块重点公司22M1-24M2月度营收走势...15图26:台股存储模组板块重点公司22M1-24M2月度营收走势..16图27:台股存储IC板块重点公司22M1-24M2月度营收走势....16图28:台股模拟IC板块重点公司22M1-24M2月度营收走势....16图29:台股消费IC板块重点公司22M1-24M2月度营收走势....16图30:台股硅晶圆板块重点公司22M1-24M2月度营收走势16图31:台股显示驱动IC板块重点公司22M1-24M2月度营收走势...16图32:台股面板板块重点公司22M1-24M2月度营收走势...17图33:24Q1-Q2DRAM产品合约价涨幅预测....18图34:2014-2026E全球IDM与纯晶圆代工行业收入增长率.....19图35:23Q4代工厂按收入计市占率.19图36:23Q4代工厂不同工艺节点占比...19表1:重点公司股价涨幅(截至2024/3/29)12表2:境外重点公司涨跌幅(截至2024/3/29)..14表3:本周陆股通净流入前五名和后五名15表4:中国台湾重点半导体公司月度业绩情况(单位:亿新台币)..17行业周报|电子西部证券2024年04月02日4|请务必仔细阅读报告尾部的投资评级说明和声明一、HBM拉动相关材料需求1.1HBM是算力竞争关键HBM是DRAM的一种形式,但在速度、容量、功耗上优于其他类别。从存储芯片分类来看,主要分为SRAM、DRAM、NAND、NOR等等,其中DRAM分为三种:第一类是用在电脑、服务器中的标准DDR;第二类是LPDDR系列用在手机和汽车等移动终端领域的;第三类是图形类DDR,在数据密集型场景使用,HBM在这个分类下。HBM通过3D堆栈工艺相较其他分类可实现更高内存带宽和更低的能耗。图1:HBM2E和LPDDR5/4以及GDDR6对比图2:HBM有效减少芯片的面积占用资料来源:SK海力士,西部证券研发中心资料来源:AMD,西部证券研发中心AI拉动HBM需求,HBM是AI领域理想的内存解决方案。AI大模型出现之后,传统带宽标准DDR和移动类LPDDR显然已经完全无法满足AI芯片的需求。此时3D堆栈的HBM可以为AI芯片提供更大的内存带宽和更低

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