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存储行业研究:存储行业有望迎来复苏.pdf

行业研究证券研究报告行业专题报告宏观研究[Table_RepTitle]存储行业有望迎来复苏[Table_Author]分析师:崔国涛执业证书编号:S1380513070003联系电话:010-51789093邮箱:cuiguotao@gkzq.com.cn研究助理:邓垚执业证书编号:S1380116110007联系电话:010-51789074邮箱:dengyao@gkzq.com.cn分析师:邓垚执业证书编号:S1380519040001联系电话:010-88300849邮箱:dengyao@gkzq.com.cn申万半导体与沪深300走势图资料来源:Wind,国开证券研究与发展部行业评级中性[Table_Report]相关报告[Table_Date]2024年3月28日[Table_Summary]内容提要:存储行业周期性特征较为明显,自2021年底开启下行周期,2023年全球存储器市场规模同比下降37%,成为半导体市场中下降最大的细分领域;然而随着市场需求的逐渐复苏和上游原厂的减产措施,存储芯片价格有所回温。供给端来看,当前产能尤为紧张的是HBM。迄今为止全球仅有的三家HBM供应商——SK海力士、三星、美光,SK海力士和美光均为英伟达HBM3E供应商,三星于24年2月官宣成功开发业界首款36GB12层DRAM的HBM3E芯片,与8层HBM相比,其性能和容量超过50%,AI训练速度平均提高34%;近期海力士、美光均宣布24年HBM产能已售罄,且美光表示其25年大部分HBM产能已被预订,三星预计2024年其HBM产能将同比增加2.9倍,26年出货量将达23年的13.8倍。需求端来看,一方面,消费电子设备单机存储容量将不断增加,智能手机呈现“大内存”趋势,AIPC入门级标配即32G内存,英特尔表示25年64GPC将开始出货;另一方面,HBM具备高带宽、高容量、低延时和低功耗特点,目前已逐步成为AI服务器与GPU的主流方案,如英伟达V100、A100、H100、H200等均采用HBM作为显存;HBM是AI芯片中成本占比最高的部分,以H100芯片为例,HBM占成本比重高达2/3左右,从产值来看,2023年HBM在DRAM产业中占比约8.4%,至2024年底将扩至20.1%。我们认为,伴随着各类AI延伸应用,DRAM及NANDFlash在智能手机、服务器、笔记本电脑等单机平均搭载容量均将显著增长,同时AI大模型催生海量算力需求,推动存储产品在低能耗、高带宽、高容量上持续迭代,从而促进HBM产业链加速发展,叠加国产化和终端需求回暖因素,我国存储产业链有望迎来成长机遇,建议关注存储、先进封测、材料、设备等细分领域龙头。给予行业“中性”评级。风险提示:全球宏观经济下行,贸易摩擦加剧,技术创新不达预期,下游需求不达预期,业绩增长低于预期,中美关系进一步恶化,乌克兰危机,黑天鹅事件,国内经济复苏低于预期,国内外二级市场系统性风险等。[Table_MainProfit]-40.00%-30.00%-20.00%-10.00%0.00%10.00%23-0323-0623-0823-1124-0124-03半导体(申万)沪深300行业专题报告请务必阅读正文之后的免责条款部分2of41.存储景气回温有望迎来复苏存储行业周期性特征较为明显,自2021年底开启下行周期,2023年全球存储器市场规模同比下降37%,成为半导体市场中下降最大的细分领域;然而随着市场需求的逐渐复苏和上游原厂的减产措施,存储芯片价格有所回温——23年5月,伴随着减产力度进一步加强,海内外存储原厂先后上调产品价格3%-5%,四季度伴随着手机等终端需求有所改善,DRAM、NAND现货价格持续走高,且多家存储厂商业绩亦现拐点。据Gartner预计,2024年全球存储行业市场规模有望同比增长66.3%,将引领半导体各细分领域成长。从产品价格来看,2023年四季度NANDFlash和DRAM现货市场综合价格指数分别上涨超30%和15%;2024年一季度,据TrendForce报告,NANDFlash合约价涨幅约15%-20%,DRAM合约价涨幅约13%-18%,并预计二季度涨势有望延续。从厂商业绩来看,24年第二财季,美光实现营收58.2亿美元,同比增长58%,环比提升23%;营业利润2.04亿美元,扭亏为盈,毛利率20%,均高于此前业绩指引区间;美光对第三财季亦进行了积极展望:预计营收约64-68亿美元,同比增幅71%-81.3%,毛利率进一步增至25%-28%;SK海力士亦于23年四季度实现扭亏至约盈利2.6亿美元;国内存储厂商方面,从德明利、佰维存储、江波龙、兆易创新等厂商23年业绩预告来看,四季度利润端或营收端均有不同程度改善,呈现复苏曙光。从供给端来看,23年上半年,三星、SK海力士、美光、西部数据和铠侠等厂商纷纷宣布减少产能和削减资本开支的措施,以应对市场低迷和库存积压,并在四季度开始显现效果,库存快速去化,行业供需好转;当前产能尤为紧张的是HBM。迄今为止全球仅有的三家HBM供应商——SK海力士、三星、美光,2022年三家市场份额分别为50%、40%和10%;SK海力士和美光均为英伟达HBM3E供应商,三星于24年2月官宣,已成功开发业界首款36GB12层DRAM的HBM3E芯片,12层HBM3E的最大带宽为1280GB/s,与8层HBM相比,其性能和容量超过50%,AI训练速度平均提高34%,同时推理服务用户数量也可增加超11.5倍。行业专题报告请务必阅读正文之后的免责条款部分3of4近期,海力士、美光均宣布24年HBM产能已售罄,且美光表示其25年大部分HBM产能已被预订,三星预计2024年其HBM产能将同比增加2.9倍,26年出货量将达23年的13.8倍。从需求端来看,一方面,消费电子设备单机存储容量将不断增加,智能手机呈现“大内存”趋势,同时随着AI相关应用加速普及,AI大模型对存储的传输速度、数据存储容量提出了更高要求,也带来对存储规格以及技术的升级,如AIPC入门级标配即32G内存,英特尔表示25年64GPC将开始出货,AI应用趋势下高容量固态硬盘的应用显著提升。据美光科技测算,单台AI服务器的DRAM和NAND需求分别是普通服务器的8倍和3倍,因此AI时代存储行业整体有望迎来量价齐增。另一方面,HBM具备高带宽、高容量、低延时和低功耗特点,目前已逐步成为AI服务器与GPU的主流方案,如英伟达V100、A100、H100、H200等AI芯片均采用HBM作为显存,其中H200芯片首次搭载HBM3e显存。HBM是AI芯片中成本占比最高的部分,以H100芯片为例,HBM占成本比重高达2/3左右,从产值来看,2023年HBM在DRAM产业中占比约8.4%,至2024年底将扩至20.1%。表1:2022-2024年HBM占DRAM产业比重情况202220232024EHBM营收占比2.6%8.4%20.1%DRAM产业营收(百万美元)800875186384150资料来源:TrendForce,国开证券研究与发展部综上我们认为,伴随着各类AI延伸应用,DRAM及NANDFlash在智能手机、服务器、笔记本电脑等单机平均搭载容

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